JP2021531315A — 半導体素子又は電子メモリの製造のための有機金属化合物

USPTO Abstract

本発明は、一般式［Ｒｕ（アレーン）（Ｒａ−Ｎ＝ＣＲ１−ＣＲ３＝Ｎ−Ｒｂ）］又は一般式［Ｒｕ（アレーン）（（Ｒｃ，Ｒｄ）Ｎ−Ｎ＝ＣＲＨ１−ＣＲＨ３＝Ｎ−Ｎ（Ｒｅ，Ｒｆ））］に従う化合物に関する。この場合、アレーンは、単核及び多核のアレーン及びヘテロアレーンからなる群から選択される。Ｒ１、Ｒ３、ＲＨ１、ＲＨ３及びＲａ〜Ｒｆは、独立して、Ｈ、アルキルラジカル（Ｃ１〜Ｃ１０）及びアリールラジカルからなる群から選択される。本発明は更に、これらの化合物の製造方法、これらの方法により得ることができる化合物、これらの使用、及び、その表面上にルテニウム層又はルテニウムを含有する層を有する基材に関する。加えて、本発明は、化合物［Ｒｕ（アレーン）Ｘ２］２であって、アレーンは、単核及び多核アレーンからなる群から選択され、Ｘ＝ハロゲンである、化合物の製造方法、この方法によって得ることができるこの型の化合物、及びそれらの使用に関する。上記ルテニウム（０）化合物を、簡便に、安価に、高純度かつ良好な収率を再現可能な方法で、製造することができる。その高い純度によって、これらはルテニウム（０）前駆体としての使用に好適である。