JP2006100626A — 半導体発光装置
Assigned to Fujifilm Holdings Corp · Expires 2006-04-13 · 20y expired
What this patent protects
【課題】 InGaPあるいはAlGaInPに代わる良質な活性層を備えて、経時に及ぶ活性層の劣化を抑制できる、信頼性の高い半導体発光装置を得る。 【解決手段】 第１導電型GaAs基板１上に、少なくとも第１導電型AlGaInPクラッド層２、AlGaInP光ガイド層、量子井戸活性層、AlGaInP光ガイド層、第２導電型AlGaInPクラッド層４を有してなる半導体発光装置において、量子井戸活性層をInGaAs y P 1-y もしくはAlGaInAs y P 1-y から構成し、そのInGaAs y P 1-y もしくはAlGaInAs y P 1-y …
USPTO Abstract
【課題】 InGaPあるいはAlGaInPに代わる良質な活性層を備えて、経時に及ぶ活性層の劣化を抑制できる、信頼性の高い半導体発光装置を得る。 【解決手段】 第１導電型GaAs基板１上に、少なくとも第１導電型AlGaInPクラッド層２、AlGaInP光ガイド層、量子井戸活性層、AlGaInP光ガイド層、第２導電型AlGaInPクラッド層４を有してなる半導体発光装置において、量子井戸活性層をInGaAs y P 1-y もしくはAlGaInAs y P 1-y から構成し、そのInGaAs y P 1-y もしくはAlGaInAs y P 1-y におけるＶ族元素中のAsの含有割合ｙを、０＜ｙ≦0.1の範囲に設定する。 【選択図】 図１
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