JP2004087707A — 半導体装置の製造方法及び製造装置
Assigned to Toshiba Corp · Expires 2004-03-18 · 22y expired
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【課題】化学気相成長法による成膜におけるパーティクルの発生を抑制しうる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。 【解決手段】ウェハ１８を収容した反応室１０内に、常温で固体又は液体の原料を気化した原料ガスを、異物を捕捉するインラインフィルタ３４を介して導入し、原料ガスと反応する反応性ガスを前記反応室１０内に導入し、化学気相成長法によりウェハ１８上に膜を形成する半導体装置の製造方法において、インラインフィルタ３４を介して原料ガスを反応室１０内に導入していないときに、反応性ガスをインラインフィルタ３４に流す。 【選択図】 図１
USPTO Abstract
【課題】化学気相成長法による成膜におけるパーティクルの発生を抑制しうる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。 【解決手段】ウェハ１８を収容した反応室１０内に、常温で固体又は液体の原料を気化した原料ガスを、異物を捕捉するインラインフィルタ３４を介して導入し、原料ガスと反応する反応性ガスを前記反応室１０内に導入し、化学気相成長法によりウェハ１８上に膜を形成する半導体装置の製造方法において、インラインフィルタ３４を介して原料ガスを反応室１０内に導入していないときに、反応性ガスをインラインフィルタ３４に流す。 【選択図】 図１
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Bibliographic data sourced from FDA Orange Book + USPTO public records. Plain-English summary generated by AI grounded in source text. Patent term extensions (PTR, SPC, pediatric) may shift the effective expiry. Not legal advice.
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