JP2002025272A — 半導体記憶装置およびその評価方法
Assigned to Sharp Corp · Expires 2002-01-25 · 24y expired
What this patent protects
(57)【要約】 【課題】 機能的な仕様の変更や性能上の仕様変更、製 造ばらつきによる内部タイミングのずれの調整等を製造 後でも行うことができ、端子配置を汎用品と同様にする ことができる半導体記憶装置およびその評価方法を提供 する。 【解決手段】 ＳＲＡＭの仕様切り替えや内部タイミン グを調整するための情報を記憶する記憶エリアとその記 憶エリアに情報を書き込むための回路とそこから情報を 出力するための論理回路とを備えたＦＬＡＳＨ ＥＥＰ ＲＯＭを、ＳＲＡＭと同一パッケージ内に封入してボン ディングパッドＢＰＡＤ等により接続する。ＳＲＡＭに は、ＦＬ…
USPTO Abstract
(57)【要約】 【課題】 機能的な仕様の変更や性能上の仕様変更、製 造ばらつきによる内部タイミングのずれの調整等を製造 後でも行うことができ、端子配置を汎用品と同様にする ことができる半導体記憶装置およびその評価方法を提供 する。 【解決手段】 ＳＲＡＭの仕様切り替えや内部タイミン グを調整するための情報を記憶する記憶エリアとその記 憶エリアに情報を書き込むための回路とそこから情報を 出力するための論理回路とを備えたＦＬＡＳＨ ＥＥＰ ＲＯＭを、ＳＲＡＭと同一パッケージ内に封入してボン ディングパッドＢＰＡＤ等により接続する。ＳＲＡＭに は、ＦＬＡＳＨ ＥＥＰＲＯＭの論理回路からの出力信 号を受けて、ＡＴＤパルス信号ＡＴＤＰのタイミングや ＳＲＡＭの仕様を切り替える回路を設ける。
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