CN1588649A — 硅薄膜异质结太阳电池的制备方法
Assigned to Shanghai Jiao Tong University · Expires 2005-03-02 · 21y expired
What this patent protects
一种用于半导体技术领域的硅薄膜异质结太阳电池的制备方法，衬底清洗：采用半导体清洗工艺进行衬底的表面初清洗，再将衬底放在去离子水中用超声波清洗，用去离子水冲洗数次，氮气吹干；制备本征非晶硅层：用热丝化学汽相沉积技术制备本征非晶硅层，钨丝温度用光学高温计测量，加热器与样品的温度分别由两个热电偶测定，用电子温度控制器控制温度，在衬底表面反应生长而成薄膜；在本征非晶硅薄膜上再沉积一层发射层；正、背面电极的形成：用溅射工艺在电池的正、背面形成电极；最后进行真空热退火工艺。本发明薄膜具有光照稳定性，在AM1.5，100mW/cm 2 标准光强下，获得的硅薄膜的光电导…
USPTO Abstract
一种用于半导体技术领域的硅薄膜异质结太阳电池的制备方法，衬底清洗：采用半导体清洗工艺进行衬底的表面初清洗，再将衬底放在去离子水中用超声波清洗，用去离子水冲洗数次，氮气吹干；制备本征非晶硅层：用热丝化学汽相沉积技术制备本征非晶硅层，钨丝温度用光学高温计测量，加热器与样品的温度分别由两个热电偶测定，用电子温度控制器控制温度，在衬底表面反应生长而成薄膜；在本征非晶硅薄膜上再沉积一层发射层；正、背面电极的形成：用溅射工艺在电池的正、背面形成电极；最后进行真空热退火工艺。本发明薄膜具有光照稳定性，在AM1.5，100mW/cm 2 标准光强下，获得的硅薄膜的光电导增益可达10 6 ，基于此薄膜的非晶硅和晶硅异质结太阳电池的效率达12.5％。
Drugs covered by this patent
- Abilify (aripiprazole) · Generic (originally Otsuka/BMS)
Bibliographic data sourced from FDA Orange Book + USPTO public records. Plain-English summary generated by AI grounded in source text. Patent term extensions (PTR, SPC, pediatric) may shift the effective expiry. Not legal advice.
Track this patent
Get a daily-checked alert when vulnerability score, expiry, classification, or assignee changes. Email, Slack, or Teams delivery. Pro: 50 watches, Free: 3.