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CN112694434B — 一种雷芬那辛新中间体及其活性亲电砌块和雷芬那辛的新制备方法

Assigned to Hangzhou Hezekunyuan Pharmaceutical Co ltd · Expires 2023-06-16 · 3y expired

What this patent protects

本发明提出一种雷芬那辛新中间体及其活性亲电砌块和雷芬那辛的新制备方法。所述雷芬那辛新中间体式(II)由N‑甲基乙醇胺依次与化合物式(III)、式(V)反应制得，利用此雷芬那辛新中间体式(II)经活化羟基后制备成为活性亲电砌块式（VI）再与化合物式(VII)进行反应可以得到雷芬那辛式(I)。本发明的合成路线反应步骤短、原料成本低，反应操作简便、条件温和，转化率、选择性高，后处理方便，更适合工业化生产。

USPTO Abstract

本发明提出一种雷芬那辛新中间体及其活性亲电砌块和雷芬那辛的新制备方法。所述雷芬那辛新中间体式(II)由N‑甲基乙醇胺依次与化合物式(III)、式(V)反应制得，利用此雷芬那辛新中间体式(II)经活化羟基后制备成为活性亲电砌块式（VI）再与化合物式(VII)进行反应可以得到雷芬那辛式(I)。本发明的合成路线反应步骤短、原料成本低，反应操作简便、条件温和，转化率、选择性高，后处理方便，更适合工业化生产。

Drugs covered by this patent

Patent Metadata

Patent number
CN112694434B
Jurisdiction
CN
Classification
—
Expires
2023-06-16
Drug substance claim
No
Drug product claim
No
Assignee
Hangzhou Hezekunyuan Pharmaceutical Co ltd
Source
FDA Orange Book + USPTO grounding via Google Patents

Bibliographic data sourced from FDA Orange Book + USPTO public records. Plain-English summary generated by AI grounded in source text. Patent term extensions (PTR, SPC, pediatric) may shift the effective expiry. Not legal advice.

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