CN110649043B — 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法
Assigned to Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd · Expires 2021-11-19 · 4y expired
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本发明实施例公开了阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法，包括：衬底以及包括多个像素电路的驱动电路层；至少一个像素电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一甲电极和第一乙电极，第一有源层包括低温多晶硅有源层；第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二甲电极和第二乙电极；第二有源层包括氧化物半导体有源层；第一有源层、第一甲电极、第一乙电极、第一栅极分别所在膜层均位于第二有源层所在膜层与衬底之间；第二甲电极、第二乙电极分别所在膜层均位于第二有源层所在膜层背离衬底的一侧，可以避免损伤氧化物半导体有源层。
USPTO Abstract
本发明实施例公开了阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法，包括：衬底以及包括多个像素电路的驱动电路层；至少一个像素电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一甲电极和第一乙电极，第一有源层包括低温多晶硅有源层；第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二甲电极和第二乙电极；第二有源层包括氧化物半导体有源层；第一有源层、第一甲电极、第一乙电极、第一栅极分别所在膜层均位于第二有源层所在膜层与衬底之间；第二甲电极、第二乙电极分别所在膜层均位于第二有源层所在膜层背离衬底的一侧，可以避免损伤氧化物半导体有源层。
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