CN Patent

CN110148563A — 一种半导体器件及其制造方法

Assigned to Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd · Expires 2019-08-20 · 7y expired

What this patent protects

本发明提供一种半导体器件及其形成方法，在栅极的侧壁上依次形成有内侧墙和外侧墙，且外侧墙的厚度是大于内侧墙的厚度的，在形成源漏区之后，将外侧墙去除，并覆盖应力层。这样，在去除外侧墙之后，栅极两侧被较厚的外侧墙覆盖的部分暴露出来，重新覆盖应力层之后，可以在距离沟道更近的区域上形成应力层，从而，实现器件的临近应力效应，对器件产生更大的应力作用，使得器件的速度及性能得到更大的提升。

USPTO Abstract

本发明提供一种半导体器件及其形成方法，在栅极的侧壁上依次形成有内侧墙和外侧墙，且外侧墙的厚度是大于内侧墙的厚度的，在形成源漏区之后，将外侧墙去除，并覆盖应力层。这样，在去除外侧墙之后，栅极两侧被较厚的外侧墙覆盖的部分暴露出来，重新覆盖应力层之后，可以在距离沟道更近的区域上形成应力层，从而，实现器件的临近应力效应，对器件产生更大的应力作用，使得器件的速度及性能得到更大的提升。

Drugs covered by this patent

Patent Metadata

Patent number
CN110148563A
Jurisdiction
CN
Classification
—
Expires
2019-08-20
Drug substance claim
No
Drug product claim
No
Assignee
Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Source
FDA Orange Book + USPTO grounding via Google Patents

Bibliographic data sourced from FDA Orange Book + USPTO public records. Plain-English summary generated by AI grounded in source text. Patent term extensions (PTR, SPC, pediatric) may shift the effective expiry. Not legal advice.

Track this patent

Get a daily-checked alert when vulnerability score, expiry, classification, or assignee changes. Email, Slack, or Teams delivery. Pro: 50 watches, Free: 3.