CN105330614A — 一种氢溴酸沃替西汀晶体及其制备方法
Assigned to Shanghai Neosun Pharmaceutical Technology Co Ltd · Expires 2016-02-17 · 10y expired
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本发明公开了一种氢溴酸沃替西汀晶体及其制备方法，所述晶体在其粉末X射线衍射图中在衍射角2θ=5.8±0.2、6.9±0.2、13.2±0.2、14.1±0.2、14.6±0.2、16.2±0.2、17.0±0.2、18.2±0.2、18.6±0.2、19.0±0.2、19.5±0.2、20.7±0.2、21.1±0.2、21.6±0.2、21.9±0.2、22.3±0.2、22.7±0.2、23.0±0.2、23.7±0.2、24.4±0.2、24.8±0.2、25.4±0.2、28.1±0.2、28.5±0.2、30.0±0.2度处显示出特征峰。本发明…
USPTO Abstract
本发明公开了一种氢溴酸沃替西汀晶体及其制备方法，所述晶体在其粉末X射线衍射图中在衍射角2θ=5.8±0.2、6.9±0.2、13.2±0.2、14.1±0.2、14.6±0.2、16.2±0.2、17.0±0.2、18.2±0.2、18.6±0.2、19.0±0.2、19.5±0.2、20.7±0.2、21.1±0.2、21.6±0.2、21.9±0.2、22.3±0.2、22.7±0.2、23.0±0.2、23.7±0.2、24.4±0.2、24.8±0.2、25.4±0.2、28.1±0.2、28.5±0.2、30.0±0.2度处显示出特征峰。本发明提供的氢溴酸沃替西汀晶体的纯度高、制备方法简便，吸湿性低。在原料制备、称重、运输和保存过程中不受环境湿度变化的影响，维持最终的制剂产品质量均匀稳定。
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