CN103674318B — 基于胶体硒化铅量子点的集成电路芯片微区表面温度分布的检测方法
Assigned to Jilin University · Expires 2016-01-20 · 10y expired
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本发明公开了一种基于胶体硒化铅量子点的集成电路芯片微区表面温度分布的检测方法,旨在克服现有技术存在的无法完成对集成电路微米级区域进行温度检测、检测设备体积和重量大、结构复杂等问题。步骤为:制备胶体硒化铅量子点;在集成电路板表面沉积胶体硒化铅量子点;选择激光器作为激发光源并形成平行光束;激光束照射芯片表面的胶体硒化铅量子点使其产生光致发光;图像采集系统收集红外光;红外光谱仪接收红外光信号,并显示其相应的发光光谱;计算集成电路芯片微区表面一点的温度。
USPTO Abstract
本发明公开了一种基于胶体硒化铅量子点的集成电路芯片微区表面温度分布的检测方法,旨在克服现有技术存在的无法完成对集成电路微米级区域进行温度检测、检测设备体积和重量大、结构复杂等问题。步骤为:制备胶体硒化铅量子点;在集成电路板表面沉积胶体硒化铅量子点;选择激光器作为激发光源并形成平行光束;激光束照射芯片表面的胶体硒化铅量子点使其产生光致发光;图像采集系统收集红外光;红外光谱仪接收红外光信号,并显示其相应的发光光谱;计算集成电路芯片微区表面一点的温度。
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