CN103094133B — 搭载半导体元件的基板
Assigned to Sumitomo Bakelite Co Ltd · Expires 2015-10-28 · 11y expired
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搭载半导体元件的基板(10),具有:芯基板(1)、搭载于芯基板(1)的一个面的半导体元件(2)、粘接芯基板(1)和半导体元件(2)的粘接膜(3)、嵌入半导体元件(2)的第一层(4)、设置于芯基板(1)的第一层(4)相反侧的与第一层(4)的材料及组成比率相同的第二层(5)、设置于第一层(4)和第二层(5)的至少一层的表层(6),并且粘接膜(3)25℃时的储能模量是5~1000MPa,表层(6)在玻璃化转变点Tg a ℃以下按照JISC6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/℃以下,该玻璃化转变点Tg a ℃是在20℃以上且按照JIS?C6481…
USPTO Abstract
搭载半导体元件的基板(10),具有:芯基板(1)、搭载于芯基板(1)的一个面的半导体元件(2)、粘接芯基板(1)和半导体元件(2)的粘接膜(3)、嵌入半导体元件(2)的第一层(4)、设置于芯基板(1)的第一层(4)相反侧的与第一层(4)的材料及组成比率相同的第二层(5)、设置于第一层(4)和第二层(5)的至少一层的表层(6),并且粘接膜(3)25℃时的储能模量是5~1000MPa,表层(6)在玻璃化转变点Tg a ℃以下按照JISC6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/℃以下,该玻璃化转变点Tg a ℃是在20℃以上且按照JIS?C6481进行检测的表层的玻璃化转变点Tg a ℃。
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