CN102299073A — Vdmos器件及其制作方法
Assigned to CSMC Technologies Corp · Expires 2011-12-28 · 14y expired
What this patent protects
本发明提供VDMOS器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一N型外延层；在所述第一N型外延层上方形成具有开口的硬掩膜层；沿所述开口刻蚀第一N型外延层至露出半导体衬底，形成P型阻挡图形；在所述P型阻挡图形内形成P型阻挡层，与所述第一N型外延层厚度相同；去除所述硬掩膜层；在所述第一N型外延层和P型阻挡层上形成第二N型外延层；在所述第二N型外延层上方形成栅极，在栅极两侧的第二N型外延层内形成源极，在与栅极和源极对应的半导体衬底背面形成漏极。所述方法不需要进行多次离子注入和高温退火，一次形成均匀度较好的P型阻挡层，所述方法工艺简单，容易控…
USPTO Abstract
本发明提供VDMOS器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一N型外延层；在所述第一N型外延层上方形成具有开口的硬掩膜层；沿所述开口刻蚀第一N型外延层至露出半导体衬底，形成P型阻挡图形；在所述P型阻挡图形内形成P型阻挡层，与所述第一N型外延层厚度相同；去除所述硬掩膜层；在所述第一N型外延层和P型阻挡层上形成第二N型外延层；在所述第二N型外延层上方形成栅极，在栅极两侧的第二N型外延层内形成源极，在与栅极和源极对应的半导体衬底背面形成漏极。所述方法不需要进行多次离子注入和高温退火，一次形成均匀度较好的P型阻挡层，所述方法工艺简单，容易控制，并降低了器件的制作成本。
Drugs covered by this patent
Bibliographic data sourced from FDA Orange Book + USPTO public records. Plain-English summary generated by AI grounded in source text. Patent term extensions (PTR, SPC, pediatric) may shift the effective expiry. Not legal advice.
Track this patent
Get a daily-checked alert when vulnerability score, expiry, classification, or assignee changes. Email, Slack, or Teams delivery. Pro: 50 watches, Free: 3.